相較于主要用在PC上的DDR DRAM模組產(chǎn)品，LPDDR提供了一種功耗顯著降低的高性能解決方案，而降低功耗是平板電腦、超薄筆記本、智能手機(jī)和汽車等移動(dòng)應(yīng)用的重點(diǎn)要求。從2009年第一代開始，LPDDR持續(xù)迭代升級(jí)，來滿足移動(dòng)終端不斷迭代產(chǎn)生的更先進(jìn)、高速的存儲(chǔ)需求。

LPDDR迭代升級(jí)過程

佰維在LPDDR產(chǎn)品領(lǐng)域起步早、積累深，從LPDDR2代便開始積極投入技術(shù)研發(fā)，不斷推陳出新。尤其是公司在2016年推出的LPDDR4存儲(chǔ)芯片，獲得了智能手機(jī)、平板等這些移動(dòng)智能終端市場(chǎng)的熱烈反響，在客戶中積累了良好口碑。近期，佰維在LPDDR4/4X產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，推出更高性能、更低功耗、更多容量選擇的LPDDR5產(chǎn)品。

傳輸速率跨越式升級(jí)，性能提升50%

首先，LPDDR5支持多Bank Group模式。相比于LPDDR4/4X的Single Bank Group模式，LPDDR5將數(shù)據(jù)傳輸從單通路變成了多通路并行，傳輸速率從4266Mbps提升至6400Mbps，傳輸帶寬從34GB/s提升到了51GB/s。

其次，LPDDR5采用WCK信號(hào)設(shè)計(jì)，數(shù)據(jù)總線用差分時(shí)鐘WCK采樣，WCK源同步于數(shù)據(jù)（DQ），因此WCK信號(hào)的頻率會(huì)隨著數(shù)據(jù)的讀寫而起停，讓存儲(chǔ)器在寫入時(shí)無時(shí)延，從而提升傳輸速率。

此外，為保障讀信號(hào)完整（Read SI），減少冗余信號(hào)干擾，LPDDR5支持非目標(biāo)性片內(nèi)終結(jié)（ NT-ODT）技術(shù)，進(jìn)一步提升數(shù)據(jù)傳輸速率。

多組電壓動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)，功耗降低30%

LPDDR5內(nèi)部有三組電壓，VDD1/VDD2/VDDQ，其中VDD2又分為VDD2H和VDD2L。相比LPDDR4X，LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至0.5V。通過動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié) （DVFS）功能，LPDDR5可在低速工作時(shí)切換至更低電壓，節(jié)省更多功耗；待機(jī)時(shí)，LPDDR5 會(huì)進(jìn)入深度睡眠模式（Deep-sleep mode），將功耗降低到最小。

此外，LPDDR5 引入了數(shù)據(jù)復(fù)制（Data-Copy）和寫X（Write-X），Data-Copy可將單個(gè)針腳的數(shù)據(jù)直接復(fù)制到其它針腳，使數(shù)據(jù)傳輸速率提升，通過高速運(yùn)轉(zhuǎn)來充分釋放處理器的性能，讓它以更快的速度處理數(shù)據(jù)，從而更早地進(jìn)入深度睡眠模式（Deep-sleep mode），不用長(zhǎng)時(shí)間、高負(fù)荷地工作；Write X 則是一種省電功能，允許系統(tǒng)將特定的位模式（例如全零模式）轉(zhuǎn)變成連續(xù)的存儲(chǔ)器位置，而無需切換通道上的數(shù)據(jù)（DQ）位，減少了SoC芯片和RAM傳遞數(shù)據(jù)時(shí)的耗電。

先進(jìn)測(cè)試技術(shù)加持，提供多容量可靠方案

DRAM芯片產(chǎn)品的核心技術(shù)之一在于測(cè)試，公司基于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的全維度深入理解，搭配行業(yè)先進(jìn)半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)臺(tái)Advantest T5503HS2與自研的自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備，自主開發(fā)測(cè)試軟件平臺(tái)、核心測(cè)試算法，有效地確保了LPDDR5產(chǎn)品量產(chǎn)品質(zhì)。

高性能、低功耗、更安全可靠和多容量選擇，佰維LPDDR5內(nèi)存方案將有效滿足智能手機(jī)、平板電腦、汽車等各種智能終端對(duì)內(nèi)存芯片的需求。未來，佰維將不斷深化研發(fā)封測(cè)一體化布局，構(gòu)筑公司在產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力、定制化開發(fā)、產(chǎn)能及質(zhì)量保證等方面的重要優(yōu)勢(shì)，不斷提升自身技術(shù)實(shí)力，助力智能終端應(yīng)用存儲(chǔ)快速升級(jí)迭代。