近日，2020年“中國(深圳)集成電路峰會”在深圳成功召開。本屆峰會主要聚焦IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)、研討先進特色制造和封裝工藝、探索創(chuàng)新生態(tài)體系、促進產(chǎn)品創(chuàng)新應(yīng)用。作為聚焦于半導(dǎo)體存儲器與特色先進封測制造的代表企業(yè)，佰維應(yīng)邀出席峰會“集成電路設(shè)計創(chuàng)新論壇”，公司副總經(jīng)理劉陽先生作了《國內(nèi)存儲器廠商面臨的挑戰(zhàn)與機會》的主題演講報告。

劉總認(rèn)為，國內(nèi)半導(dǎo)體市場正面臨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和國家大力扶持的歷史機遇，存儲器作為半導(dǎo)體集成電路的重要子集，面臨巨大的發(fā)展機遇，中國是全球智能終端重要市場，也是存儲器消費大國，中國存儲器市場發(fā)展前景廣闊。在國內(nèi)存儲市場競爭中，國際存儲巨頭與國內(nèi)存儲廠商形成了緊密的產(chǎn)業(yè)鏈合作，也不斷地繁榮了大陸存儲產(chǎn)業(yè)鏈布局。

劉總進一步指出，國際存儲巨頭與國內(nèi)存儲廠商的關(guān)系，雖然有競爭，但更多是合作和互補。因為存儲市場容量足夠大，國際存儲巨頭專注于提供規(guī)模化的存儲產(chǎn)品，近年來專注研發(fā)大容量、高性能存儲芯片，不斷推進先進存儲技術(shù)并憑借技術(shù)優(yōu)勢獲取較高市場份額。國內(nèi)存儲企業(yè)由于各家所處的發(fā)展階段不同，在以領(lǐng)先企業(yè)為目標(biāo)進行技術(shù)跟進的同時，結(jié)合自身技術(shù)特點和市場需求，專注于成熟產(chǎn)品的細(xì)分市場并實現(xiàn)填補和替代效應(yīng)，與行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)形成差異化競爭。佰維作為存儲行業(yè)的老兵，在其多年來的發(fā)展歷程中，慢慢地走出了屬于自己的“存儲+封測”雙輪驅(qū)動模式，致力于從芯到端賦能萬物互聯(lián)。

佰維多年來專精于半導(dǎo)體存儲器的創(chuàng)新研發(fā)與封測制造，布局了全系列、全容量、全場景應(yīng)用的存儲產(chǎn)品線矩陣，涵蓋了標(biāo)準(zhǔn)化、規(guī)模化的通用型存儲器以及“千端千面”的行業(yè)定制化方案，最終實現(xiàn)從客戶端需求開發(fā)到最終產(chǎn)品端量產(chǎn)的一站式交付能力。佰維是國內(nèi)最早布局封測制造的存儲企業(yè)，優(yōu)異的封測制造工藝賦予了公司更靈活的和快速響應(yīng)的定制化優(yōu)勢，通過研發(fā)與封測實力不斷賦能存儲芯片小型化、大容量與低功耗，進而滿足終端設(shè)備日益輕薄與高集成度的需求。

如大家所知，存儲芯片容量的提升一方面來自于3D NAND對2D NAND的突破，單顆Die存儲密度不斷增大。而封裝層面上，芯片大容量提升則依賴于超薄Die和疊Die等核心封測工藝。以單Die 32GB為例，通過8疊Die封裝工藝，最終NAND芯片可以達(dá)到256GB，而通過16層疊Die工藝單芯片容量則可以達(dá)到512GB；此外，鑒于智能穿戴設(shè)備對存儲芯片厚度敏感需求，佰維通過超薄Die工藝，佰維超小eMMC寸尺可做到7.5mmx8.0mm，產(chǎn)品厚度最薄可至0.6mm。

佰維eMCP封裝結(jié)構(gòu)

從產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)看，存儲芯片本身就是一個小型的復(fù)雜集成單元，由NAND、控制器組成了eMMC，通過新增DRAM緩存則成為eMCP，通過多器件、多層異構(gòu)架構(gòu)的集成，通過封裝工藝解決尺寸問題的同時，還需要軟件算法、硬件仿真等解決固件調(diào)校、信號干擾等，才最終造就了一顆存儲芯片的誕生。而這些核心的封測技術(shù)能力則構(gòu)成了佰維以SiP為核心的特色先進封測能力，封測業(yè)務(wù)覆蓋至存儲器、通信芯片等，并針對IC設(shè)計公司、高校和院所的需求，提供24小時快封服務(wù)。

未來，萬物互聯(lián)帶動各垂直行業(yè)模組放量，存儲市場需求量巨大。隨著原廠產(chǎn)能不斷釋放，加之下游終端需求量激增，以SiP為核心的先進封測市場將進一步爆發(fā)，佰維將從存儲器芯片以及封測服務(wù)能力上賦能萬物互聯(lián)時代的到來。